التعاون الأول بين سامسونج وتي إس إم سي
تخطط شركة سامسونج للإلكترونيات الكورية الجنوبية لاستخدام تقنية التصنيع بدقة 3 نانومتر التي توفرها شركة تي إس إم سي التايوانية، وذلك لإنتاج الرقائق الأساسية (Base Dies) التي ستستعمل في الجيل القادم من شرائح الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM) التي تطورها شركة إنفيديا، حسب ما نقلته صحيفة سيول إيكونوميك ديلي عن مصادر في القطاع يوم الأحد.
متطلبات إنفيديا لتقنية الذاكرة الجديدة
وفقًا للتقرير، طلبت إنفيديا من موردي الذاكرة الثلاثة – سامسونج وإس كيه هاينكس ومايكرون تكنولوجي – أن يعتمدوا على تقنية تي إس إم سي لتصنيع الرقائق الأساسية المخصصة لمنتجات الذاكرة الجديدة المعروفة باسم (NVHBM)، مع الاستمرار في استخدام تقنية الجيل السادس من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) لإنتاج الرقائق الجوهرية (Core Dies). وتهدف هذه المتطلبات إلى توحيد آلية تنفيذ تصميم الذاكرة الجديدة بين الموردين، مما يضمن اتساقًا أكبر في المنتجات المقدمة مع الحفاظ على إمكانية الاستفادة من قدرات تصنيع متعددة الشركات المتخصصة.
اقرأ أيضًا: سامسونج تكشف عن Galaxy F70 بمواصفات مألوفة
آثار الشراكة على الصناعة
أوضحت الصحيفة أن سامسونج وافقت على متطلبات إنفيديا بعد مراجعة داخلية، لكنها تعتزم الاستمرار في اعتماد نموذج الإنتاج الداخلي لتصنيع شرائح الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي القياسية والمنتجات المخصصة لعملاء آخرين، ما يعني أن التعاون المرتقب مع تي إس إم سي سيقتصر على منتجات (NVHBM) دون التخلي عن قدرات سامسونج التصنيعية الخاصة في قطاع الذاكرة. وأضاف مصدر لم تُسمّه الصحيفة أن سامسونج تدرس أيضًا إمكانية إنتاج هذه الرقائق الأساسية في منشآتها الخاصة المتخصصة في خدمات التصنيع (Foundry) إذا فاق الطلب الطاقة المتاحة لدى تي إس إم سي. ولم يحدد التقرير حجم الإنتاج المتوقع أو جدولًا زمنيًا لبدء التصنيع، كما لم يفصح عن تفاصيل الشروط التجارية للتعاون المحتمل. وتتنافس سامسونج وإس كيه هاينكس ومايكرون في سوق ذاكرة النطاق الترددي العالي التي أصبحت مكونًا أساسيًا في مسرعات الذكاء الاصطناعي ووحدات معالجة البيانات المتقدمة، بينما تحافظ تي إس إم سي على مكانة محورية في تصنيع أشباه الموصلات المتقدمة لشركات التكنولوجيا بما فيها إنفيديا.
